真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵
前級泵機械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機架機電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
磁控濺射(Magnetron Sputtering)是一種薄膜沉積技術(shù),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子、光學(xué)涂層和傳感器等領(lǐng)域。該技術(shù)通過以下幾個步驟實現(xiàn)材料的沉積:
1. **靶材準(zhǔn)備**:磁控濺射系統(tǒng)中通常使用金屬、合金或陶瓷作為靶材。
2. **氣體引入**:在真空腔內(nèi)引入惰性氣體(如氬氣),并將腔體抽真空,以降低氣體的分子數(shù)量,從而減小氣體分子碰撞的影響。
3. **放電與等離子體生成**:通過施加高電壓,將靶材和基材之間的氣體電離,形成等離子體。等離子體中的氣離子會被加速并撞擊靶材。
4. **濺射過程**:氣離子在靶材表面撞擊時,會導(dǎo)致靶材原子脫離表面,并以高能量飛向基材表面,從而在基材上形成薄膜。
5. **薄膜沉積**:脫離靶材的原子在基材上沉積,逐漸形成所需的薄膜結(jié)構(gòu)。
磁控濺射的主要優(yōu)點包括:能夠在較低的溫度下進(jìn)行沉積,適用于多種材料(如金屬、陶瓷和復(fù)合材料),以及沉積速率快且膜質(zhì)量高。此外,磁控濺射系統(tǒng)通常配備有磁場,用于增強離子化效率,提高沉積速率和膜質(zhì)量。
這種技術(shù)在光學(xué)、電子、裝飾等領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用,如制造反射鏡、抗反射涂層、導(dǎo)電薄膜等。
靶材通常是在物理、化學(xué)和材料科學(xué)等領(lǐng)域中使用的一種材料,主要具有以下功能:
1. **靶向作用**:在粒子物理實驗中,靶材可用于吸收入射粒子并產(chǎn)生可觀測的反應(yīng),如在粒子加速器中用作靶。
2. **材料沉積**:在薄膜沉積技術(shù)中,靶材用于將材料蒸發(fā)或濺射到基底上,形成薄膜。這在電子器件、光學(xué)涂層等應(yīng)用中重要。
3. **反應(yīng)介質(zhì)**:在化學(xué)反應(yīng)中,靶材可以作為反應(yīng)物,產(chǎn)生相應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)或物理變化。
4. **能量傳輸**:靶材能夠接收入射粒子的能量并將其轉(zhuǎn)化為其他形式的能量,或以其他方式傳遞能量。
5. **示蹤和檢測**:在放射性同位素研究中,靶材可以用作示蹤劑,幫助檢測和分析現(xiàn)象。
總之,靶材在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用中扮演著重要的角色,其具體功能根據(jù)應(yīng)用場景的不同而有所差異。

靶材是指在實驗或工業(yè)生產(chǎn)中用于材料分析、研究或加工的材料。靶材的特點主要包括以下幾個方面:
1. **成分純度**:靶材通常需要具備高純度,以確保實驗結(jié)果的準(zhǔn)確性和重復(fù)性。
2. **均勻性**:靶材應(yīng)具備良好的均勻性,以避免在物理或化學(xué)反應(yīng)過程中產(chǎn)生不均勻現(xiàn)象,導(dǎo)致測試結(jié)果的偏差。
3. **機械性能**:靶材的機械強度、硬度和韌性等性能要求較高,以適應(yīng)不同的加工和使用條件。
4. **熱穩(wěn)定性**:靶材的熱穩(wěn)定性影響其在高溫環(huán)境下的性能,尤其是在氣相沉積等高溫工藝中,需要良好的耐熱性。
5. **反應(yīng)活性**:靶材的表面性質(zhì)和化學(xué)反應(yīng)性對材料的沉積或反應(yīng)過程有重要影響,通常需要設(shè)計出合適的表面處理以優(yōu)化性能。
6. **可加工性**:靶材需易于加工成所需的形狀和尺寸,方便在實驗和生產(chǎn)中使用。
7. **成本**:靶材的經(jīng)濟(jì)性也是一個關(guān)鍵因素,需要在性能和價格之間找到平衡。
靶材的選擇會根據(jù)具體應(yīng)用的需求有所不同,例如在半導(dǎo)體制造、涂層技術(shù)和材料科學(xué)研究中,靶材的特性往往會影響到終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。

離子濺射儀是一種廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、半導(dǎo)體制造和表面分析等領(lǐng)域的設(shè)備,其主要特點包括:
1. **高精度**:離子濺射儀能夠在原子或分子層級上進(jìn)行物質(zhì)的去除和沉積,具有的控制精度,適用于微米和納米級別的加工。
2. **多功能性**:該儀器可用于薄膜的沉積、表面清洗、材料分析等多種用途,適應(yīng)性強。
3. **層次控制**:可以實現(xiàn)對材料沉積厚度的控制,可以逐層沉積不同材料,適合制備多層膜結(jié)構(gòu)。
4. **較強的適應(yīng)性**:離子源與靶材的組合可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整,使得該儀器可以處理多種不同類型的材料。
5. **真空環(huán)境**:離子濺射在真空環(huán)境中進(jìn)行,有助于減少氣體分子對沉積過程的干擾,提高沉積質(zhì)量。
6. **可調(diào)節(jié)能量**:離子源可以調(diào)節(jié)離子的能量,從而控制濺射過程中的粒子能量,有利于改善沉積膜的性質(zhì)。
7. **低溫沉積**:相較于傳統(tǒng)的熱沉積方法,離子濺射在較低溫度下即可進(jìn)行,能夠減少熱敏感材料的損傷。
8. **表面改性**:通過選擇合適的離子種類和能量,可以對材料表面進(jìn)行改性,如提高表面硬度或改變表面化學(xué)性質(zhì)。
總的來說,離子濺射儀因其高精度、多功能和良好的適應(yīng)性,在現(xiàn)代材料科學(xué)和工程中發(fā)揮著重要作用。

離子濺射儀是一種用于材料表面分析和處理的設(shè)備,主要功能包括:
1. **材料沉積**:可以用于在基材表面上沉積薄膜,常見于半導(dǎo)體、光電子器件和表面涂層的制造。
2. **表面分析**:通過濺射過程,可以分析材料的成分和結(jié)構(gòu),常用于質(zhì)譜分析和表面分析技術(shù),如時間飛行質(zhì)譜(TOF-MS)。
3. **清潔和去除涂層**:可以去除材料表面的污染物或舊涂層,為后續(xù)處理做好準(zhǔn)備。
4. **再結(jié)晶和表面改性**:可以通過離子轟擊改變材料的表面狀態(tài),如增加薄膜的粘附力、改善光學(xué)性能等。
5. **刻蝕**:在微電子工藝中,用于刻蝕特定區(qū)域,形成所需的圖案和結(jié)構(gòu)。
6. **離子 implantation**:將離子注入材料中,以改變其電學(xué)、光學(xué)或機械性質(zhì)。
離子濺射儀在材料科學(xué)、微電子、納米技術(shù)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
離子濺射儀是一種廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)和表面分析的儀器,其適用范圍主要包括以下幾個方面:
1. **薄膜制備**:用于沉積金屬、氧化物及其他材料的薄膜,廣泛應(yīng)用于電子器件、光電材料等領(lǐng)域。
2. **表面分析**:能夠分析材料表面的元素組成和化學(xué)狀態(tài),適用于材料科學(xué)、物理、化學(xué)等研究領(lǐng)域。
3. **樣品清洗**:可以去除樣品表面的污染物和氧化層,提高后續(xù)分析的準(zhǔn)確性。
4. **材料特性研究**:通過改變離子能量和濺射深度,研究材料的結(jié)構(gòu)、成分及性質(zhì)。
5. **半導(dǎo)體工業(yè)**:在半導(dǎo)體制造過程中,離子濺射用于清洗、蝕刻等步驟,確保良好的表面狀態(tài)。
6. **光學(xué)領(lǐng)域**:在光學(xué)器件的制備中,離子濺射用于涂覆光學(xué)薄膜,以滿足特定的光學(xué)性能。
7. **生物材料**:在生物材料的研究中,離子濺射可以用于表面改性,以改善生物相容性和性能。
總之,離子濺射儀是一種多功能的設(shè)備,適用于研究與工業(yè)應(yīng)用中。
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