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阿壩PVD鍍膜機(jī)
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產(chǎn)品描述

真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼 分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵 前級(jí)泵機(jī)械泵,北儀優(yōu)成 真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川 濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板) 濺射電源500W直流電源1臺(tái),300W射頻電源1臺(tái) 流量計(jì)20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK 控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套 冷水機(jī)LX-300 前級(jí)閥GDC-25b電磁擋板閥1套 旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套 限流閥DN63mm一套 充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套 放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套 基片臺(tái)Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃ 膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配) 真空管路波紋管、真空管道等1套 設(shè)備機(jī)架機(jī)電一體化 預(yù)留接口CF35法蘭一個(gè) 備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
離子濺射儀是一種用于材料表面分析和處理的儀器,廣泛應(yīng)用于物理、材料科學(xué)、納米技術(shù)以及半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。其基本原理是通過離子束轟擊目標(biāo)材料表面,導(dǎo)致該材料的原子或分子被濺射出來,從而可以進(jìn)行成分分析、薄膜沉積或表面修飾等操作。
離子濺射儀的主要組成部分包括:
1. **離子源**:用于產(chǎn)生離子束,通常包括氣體源和加速電場(chǎng)。
2. **真空腔**:為了減少氣體分子對(duì)離子束的散射,實(shí)驗(yàn)一般在高真空環(huán)境下進(jìn)行。
3. **靶材**:待處理或分析的樣品,用于接受離子轟擊。
4. **探測(cè)器**:用于捕捉和分析濺射出來的粒子,以獲取樣品的成分信息。
離子濺射的特點(diǎn)包括高靈敏度、高分辨率和適用于材料的處理,是現(xiàn)代材料科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用中的工具。
磁控濺射鍍膜機(jī)是一種用于薄膜沉積的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、太陽能、LED等領(lǐng)域。其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:通過濺射技術(shù),將靶材表面的原子或分子激發(fā)并沉積在基材表面,從而形成薄膜??梢猿练e金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等多種材料。
2. **膜層均勻性調(diào)控**:通過調(diào)整濺射參數(shù)(如氣體流量、功率、沉積時(shí)間等),可以控制薄膜的厚度和均勻性,滿足不同應(yīng)用的要求。
3. **材料性質(zhì)優(yōu)化**:可以通過改變靶材的種類、沉積環(huán)境等方式,調(diào)節(jié)薄膜的物理和化學(xué)性質(zhì),如電導(dǎo)率、光學(xué)透過率等。
4. **多層膜沉積**:可以實(shí)現(xiàn)多層膜的交替沉積,滿足復(fù)雜器件的需求,比如光學(xué)濾光片、傳感器等。
5. **真空環(huán)境**:在真空條件下進(jìn)行沉積,可以減少膜層缺陷,提高膜層的質(zhì)量及其性能。
6. **可控厚度及成分**:通過控制濺射時(shí)間和功率,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)膜層厚度及化學(xué)成分的準(zhǔn)確調(diào)控,適用于應(yīng)用需求。
7. **適應(yīng)性強(qiáng)**:可以使用多種靶材和基材,廣泛應(yīng)用于不同領(lǐng)域,包括電子器件、光電材料、裝飾性涂層等。
磁控濺射鍍膜機(jī)因其優(yōu)越的沉積過程和膜層質(zhì)量,在現(xiàn)代材料科學(xué)和工程中占有重要地位。
阿壩PVD鍍膜機(jī)
磁控濺射是一種常用的薄膜沉積技術(shù),具有以下幾個(gè)特點(diǎn):
1. **高沉積速率**:由于使用了磁場(chǎng)增強(qiáng)了等離子體的密度,從而提高了濺射粒子的產(chǎn)生率,能夠?qū)崿F(xiàn)較高的沉積速率。
2. **均勻性**:磁控濺射能夠在較大面積上實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜沉積,適用于大面積涂層和均勻薄膜的要求。
3. **良好的附著力**:由于濺射過程中粒子能量較高,薄膜與基底之間的附著力較好,減少了薄膜剝離的風(fēng)險(xiǎn)。
4. **低溫沉積**:相比于其他沉積技術(shù),磁控濺射可以在相對(duì)較低的溫度下進(jìn)行,適合于對(duì)溫度敏感的材料。
5. **多材料沉積**:能夠?qū)崿F(xiàn)多種材料的復(fù)合沉積,包括金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等,實(shí)現(xiàn)材料的多樣性。
6. **可控性強(qiáng)**:沉積過程中的參數(shù)(如氣體壓力、功率、基板溫度等)對(duì)薄膜的性質(zhì)有較大影響,因此可以通過控制這些參數(shù)來調(diào)節(jié)薄膜的厚度和質(zhì)量。
7. **環(huán)保性**:相較于某些化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),磁控濺射通常不涉及毒性氣體,環(huán)境友好。
這些特點(diǎn)使得磁控濺射在電子、光電、硬涂層等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。
阿壩PVD鍍膜機(jī)
靶材通常是在物理、化學(xué)和材料科學(xué)等領(lǐng)域中使用的一種材料,主要具有以下功能:
1. **靶向作用**:在粒子物理實(shí)驗(yàn)中,靶材可用于吸收入射粒子并產(chǎn)生可觀測(cè)的反應(yīng),如在粒子加速器中用作靶。
2. **材料沉積**:在薄膜沉積技術(shù)中,靶材用于將材料蒸發(fā)或?yàn)R射到基底上,形成薄膜。這在電子器件、光學(xué)涂層等應(yīng)用中重要。
3. **反應(yīng)介質(zhì)**:在化學(xué)反應(yīng)中,靶材可以作為反應(yīng)物,產(chǎn)生相應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)或物理變化。
4. **能量傳輸**:靶材能夠接收入射粒子的能量并將其轉(zhuǎn)化為其他形式的能量,或以其他方式傳遞能量。
5. **示蹤和檢測(cè)**:在放射性同位素研究中,靶材可以用作示蹤劑,幫助檢測(cè)和分析現(xiàn)象。
總之,靶材在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用中扮演著重要的角色,其具體功能根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的不同而有所差異。
阿壩PVD鍍膜機(jī)
離子濺射儀是一種用于材料表面分析和處理的設(shè)備,主要功能包括:
1. **材料沉積**:可以用于在基材表面上沉積薄膜,常見于半導(dǎo)體、光電子器件和表面涂層的制造。
2. **表面分析**:通過濺射過程,可以分析材料的成分和結(jié)構(gòu),常用于質(zhì)譜分析和表面分析技術(shù),如時(shí)間飛行質(zhì)譜(TOF-MS)。
3. **清潔和去除涂層**:可以去除材料表面的污染物或舊涂層,為后續(xù)處理做好準(zhǔn)備。
4. **再結(jié)晶和表面改性**:可以通過離子轟擊改變材料的表面狀態(tài),如增加薄膜的粘附力、改善光學(xué)性能等。
5. **刻蝕**:在微電子工藝中,用于刻蝕特定區(qū)域,形成所需的圖案和結(jié)構(gòu)。
6. **離子 implantation**:將離子注入材料中,以改變其電學(xué)、光學(xué)或機(jī)械性質(zhì)。
離子濺射儀在材料科學(xué)、微電子、納米技術(shù)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
樣品臺(tái)是一種用于放置和支撐樣品的實(shí)驗(yàn)設(shè)備,廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域。以下是樣品臺(tái)的主要適用范圍:
1. **生物醫(yī)學(xué)研究**:在顯微鏡下觀察細(xì)胞、組織切片和其他生物樣品。
2. **材料科學(xué)**:用于測(cè)試金屬、聚合物、陶瓷等材料的物理和化學(xué)性質(zhì)。
3. **化學(xué)分析**:在化學(xué)實(shí)驗(yàn)中放置反應(yīng)瓶、試劑和其他化學(xué)物質(zhì)。
4. **電子顯微鏡**:在電子顯微鏡中支撐和固定樣品,以便進(jìn)行高分辨率觀察。
5. **光學(xué)顯微鏡**:在光學(xué)顯微鏡中觀察細(xì)小結(jié)構(gòu)、顆粒和晶體等。
6. **工業(yè)檢測(cè)**:用于質(zhì)量控制和檢測(cè)產(chǎn)品樣品,如電子元件、機(jī)械零件等。
不同類型的樣品臺(tái)(如移動(dòng)樣品臺(tái)、平面樣品臺(tái)等)可以根據(jù)具體需求進(jìn)行選擇,以滿足不同實(shí)驗(yàn)或檢測(cè)的需求。
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