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成都離子濺射儀
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產(chǎn)品描述

真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼 分子泵進口Pfeiffer分子泵 前級泵機械泵,北儀優(yōu)成 真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川 濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板) 濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺 流量計20sccm/50sccm進口WARWICK 控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套 冷水機LX-300 前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套 旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套 限流閥DN63mm一套 充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套 放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套 基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃ 膜厚監(jiān)控儀進口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配) 真空管路波紋管、真空管道等1套 設(shè)備機架機電一體化 預(yù)留接口CF35法蘭一個 備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
桌面型磁控濺射鍍膜儀是一種用于薄膜沉積的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、光學(xué)電子、半導(dǎo)體制造以及其他領(lǐng)域。這種設(shè)備利用磁控濺射技術(shù),將靶材上的原子或分子濺射到基材表面,形成均勻的薄膜。
以下是一些關(guān)于桌面型磁控濺射鍍膜儀的主要特點和功能:
1. **緊湊設(shè)計**:桌面型設(shè)備比傳統(tǒng)的大型鍍膜設(shè)備更為緊湊,適合實驗室和小型生產(chǎn)環(huán)境。
2. **操作簡便**:相較于大型設(shè)備,桌面型磁控濺射設(shè)備通常更易于操作,適合不同水平的用戶。
3. **多種材料**:可以使用金屬、氧化物、氮化物等多種靶材進行沉積,滿足不同的鍍膜需求。
4. **高均勻性**:磁控濺射技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)高均勻性的薄膜沉積,適用于對膜層厚度均勻性要求較高的應(yīng)用。
5. **可調(diào)參數(shù)**:用戶可以根據(jù)實際需求調(diào)節(jié)濺射功率、氣體流量、真空度等參數(shù),以優(yōu)化膜層的特性。
6. **應(yīng)用廣泛**:應(yīng)用于光學(xué)涂層、半導(dǎo)體器件、電池材料、傳感器等領(lǐng)域。
7. **環(huán)保性**:相較于其他鍍膜技術(shù),磁控濺射具有較低的環(huán)境影響,噪聲和廢氣排放較少。
如果你有特定的需求或問題,歡迎進一步詢問!
離子濺射儀是一種廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、半導(dǎo)體制造和表面分析等領(lǐng)域的設(shè)備,其主要特點包括:
1. **高精度**:離子濺射儀能夠在原子或分子層級上進行物質(zhì)的去除和沉積,具有的控制精度,適用于微米和納米級別的加工。
2. **多功能性**:該儀器可用于薄膜的沉積、表面清洗、材料分析等多種用途,適應(yīng)性強。
3. **層次控制**:可以實現(xiàn)對材料沉積厚度的控制,可以逐層沉積不同材料,適合制備多層膜結(jié)構(gòu)。
4. **較強的適應(yīng)性**:離子源與靶材的組合可以根據(jù)需要進行調(diào)整,使得該儀器可以處理多種不同類型的材料。
5. **真空環(huán)境**:離子濺射在真空環(huán)境中進行,有助于減少氣體分子對沉積過程的干擾,提高沉積質(zhì)量。
6. **可調(diào)節(jié)能量**:離子源可以調(diào)節(jié)離子的能量,從而控制濺射過程中的粒子能量,有利于改善沉積膜的性質(zhì)。
7. **低溫沉積**:相較于傳統(tǒng)的熱沉積方法,離子濺射在較低溫度下即可進行,能夠減少熱敏感材料的損傷。
8. **表面改性**:通過選擇合適的離子種類和能量,可以對材料表面進行改性,如提高表面硬度或改變表面化學(xué)性質(zhì)。
總的來說,離子濺射儀因其高精度、多功能和良好的適應(yīng)性,在現(xiàn)代材料科學(xué)和工程中發(fā)揮著重要作用。
成都離子濺射儀
濺射靶是一種用于薄膜沉積技術(shù)的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于物理、材料科學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)。其主要功能包括:
1. **物質(zhì)沉積**:通過濺射技術(shù)將靶材(如金屬、合金或氧化物)中的原子或分子打出,并在基材表面形成薄膜。
2. **薄膜均勻性**:濺射靶能夠在較大的面積上實現(xiàn)均勻的薄膜沉積,這對許多應(yīng)用至關(guān)重要。
3. **控制膜厚度**:通過調(diào)整濺射時間、功率和氣氛等參數(shù),可以控制沉積膜的厚度。
4. **材料多樣性**:能夠處理多種不同類型的靶材,適用于不同的應(yīng)用需求。
5. **低溫沉積**:濺射過程通常在較低溫度下進行,因此適合一些熱敏材料的沉積。
6. **量膜**:濺射技術(shù)可制作高致密性、低缺陷的薄膜,適合高性能電子元件和光電器件等。
7. **大面積沉積**:有些濺射靶可以實現(xiàn)大面積的一次性沉積,適合工業(yè)化生產(chǎn)。
8. **功能薄膜制備**:可以用于制備功能性薄膜,如透明導(dǎo)電氧化物(TCO)、磁性薄膜及其他材料。
濺射靶的技術(shù)進步與材料科學(xué)的發(fā)展密切相關(guān),對推動新材料的研究和應(yīng)用起到了重要作用。
成都離子濺射儀
磁控濺射鍍膜機是一種用于薄膜沉積的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、太陽能、LED等領(lǐng)域。其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:通過濺射技術(shù),將靶材表面的原子或分子激發(fā)并沉積在基材表面,從而形成薄膜??梢猿练e金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等多種材料。
2. **膜層均勻性調(diào)控**:通過調(diào)整濺射參數(shù)(如氣體流量、功率、沉積時間等),可以控制薄膜的厚度和均勻性,滿足不同應(yīng)用的要求。
3. **材料性質(zhì)優(yōu)化**:可以通過改變靶材的種類、沉積環(huán)境等方式,調(diào)節(jié)薄膜的物理和化學(xué)性質(zhì),如電導(dǎo)率、光學(xué)透過率等。
4. **多層膜沉積**:可以實現(xiàn)多層膜的交替沉積,滿足復(fù)雜器件的需求,比如光學(xué)濾光片、傳感器等。
5. **真空環(huán)境**:在真空條件下進行沉積,可以減少膜層缺陷,提高膜層的質(zhì)量及其性能。
6. **可控厚度及成分**:通過控制濺射時間和功率,可以實現(xiàn)對膜層厚度及化學(xué)成分的準(zhǔn)確調(diào)控,適用于應(yīng)用需求。
7. **適應(yīng)性強**:可以使用多種靶材和基材,廣泛應(yīng)用于不同領(lǐng)域,包括電子器件、光電材料、裝飾性涂層等。
磁控濺射鍍膜機因其優(yōu)越的沉積過程和膜層質(zhì)量,在現(xiàn)代材料科學(xué)和工程中占有重要地位。
成都離子濺射儀
離子濺射儀是一種用于材料表面分析和處理的設(shè)備,主要功能包括:
1. **材料沉積**:可以用于在基材表面上沉積薄膜,常見于半導(dǎo)體、光電子器件和表面涂層的制造。
2. **表面分析**:通過濺射過程,可以分析材料的成分和結(jié)構(gòu),常用于質(zhì)譜分析和表面分析技術(shù),如時間飛行質(zhì)譜(TOF-MS)。
3. **清潔和去除涂層**:可以去除材料表面的污染物或舊涂層,為后續(xù)處理做好準(zhǔn)備。
4. **再結(jié)晶和表面改性**:可以通過離子轟擊改變材料的表面狀態(tài),如增加薄膜的粘附力、改善光學(xué)性能等。
5. **刻蝕**:在微電子工藝中,用于刻蝕特定區(qū)域,形成所需的圖案和結(jié)構(gòu)。
6. **離子 implantation**:將離子注入材料中,以改變其電學(xué)、光學(xué)或機械性質(zhì)。
離子濺射儀在材料科學(xué)、微電子、納米技術(shù)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
靶材的適用范圍主要取決于其材料特性和應(yīng)用領(lǐng)域。以下是一些常見的靶材及其適用范圍:
1. **金屬靶材**:常用于沉積和涂層技術(shù),如磁控濺射、物相沉積(PVD)等??梢杂糜谥圃彀雽?dǎo)體、光電器件及表面處理等。
2. **陶瓷靶材**:通常用于高溫應(yīng)用和特殊電子器件的制造,具有良好的耐腐蝕性和耐高溫性能。
3. **復(fù)合材料靶材**:用于需要輕量化和高強度的應(yīng)用,如、汽車工業(yè)等。
4. **聚合物靶材**:適用于某些特殊的涂層和薄膜技術(shù),常用于電子產(chǎn)品和光學(xué)設(shè)備中。
5. **稀土金屬靶材**:應(yīng)用于特殊磁性材料和激光器的制造。
6. **生物靶材**:在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域中使用,用于制造生物相容性材料和藥物載體。
靶材的選擇不僅影響終產(chǎn)品的性能,還會對生產(chǎn)工藝和成本產(chǎn)生影響。因此,在選擇靶材時,需根據(jù)具體的應(yīng)用需求進行綜合考慮。
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